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氮化鎵（GaN）晶體基片

簡要描述：GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG（因為2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素）.科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片。

  • 產品型號：GaN
  • 廠商性質：生產廠家
  • 更新時間：2024-10-22
  • 訪  問  量：2936

詳細介紹

產品名稱：

氮化鎵(GaN)晶體基片

產品簡介：

GaN易與AlN、InN等構成混晶，能制成各種異質結構，已經得到了低溫下遷移率達到105cm2/Vs的2-DEG(因為2-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學聲子散射、電離雜質散射和壓電散射等因素).科晶公司將為您提供高品質低價位的氮化鎵晶體和基片。

技術參數(shù)：

制作方法：

HVPE（氫化物氣象外延法）

傳導類型：

N型；半絕緣型

電阻率：

R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm

表面粗糙度：

<0.5nm

位錯密度：

<5x106Ω.cm

可用表面積：

>90%

TTV:

≤15um

Bow:

≤20um

 

產品規(guī)格：

晶體方向: <0001>;常規(guī)尺寸：dia50.8mm±1mm x 0.35mm ±25um；

注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。

標準包裝：

1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝

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